金融界2025年5月10日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“BCD器件结构及其形成方法”的专利，公开号CN119947261A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明提供一种BCD器件结构及其形成方法，BCD器件结构中的衬底上形成有第一外延层和第二外延层，在第一外延层内形成第一隔离埋层，第一隔离埋层中的磷扩散开能增加N型区域的耗尽面积，N型区域和P型区域两侧均参与耗尽，第一隔离埋层与衬底之间形成缓变结，提高了第一隔离埋层与衬底之间击穿电压。第一外延层内形成第二隔离埋层，第二隔离埋层位于第一隔离埋层内，第二外延层内形成有深阱，在形成深阱时，第一隔离埋层扩散至第二外延层内，深阱通过第一隔离埋层与第二隔离埋层电连接构成隔离结构，由于在形成深阱时，第一隔离埋层扩散至第二外延层内，增强了深阱与第二隔离埋层之间的衔接，降低了深阱的工艺难度或者生产成本。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目856次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

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